IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），中文称为绝缘栅双极型晶体管，是一种复合型功率半导体器件。它具有MOS（金属氧化物半导体）栅控制的特点，并且具有双极型晶体管的安全特性。其结构主要由NPN和PNP两个晶体管组成，结合了场效应晶体管和双极型晶体管的优点。由于其具有超高的开关速度、高效率和低能耗等优势，在多种应用场合中都发挥着重要的作用。同时，它还能承受较高的电压和电流，适用于电动汽车、电力系统控制、电机驱动等需要大功率的场景。简单地说，它是一种控制电流的半导体元件。

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